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　　共轭聚合物因同时具有半导体的光电性质和良好的溶液加工性能，作为活性层已被广泛应用于有机场效应晶体管（OFETs）等薄膜有机光电器件中。目前，OFET器件的性能已经超过非晶硅器件，但高迁移率n型聚合物较少，性能也落后于p型聚合物。　　设计高迁移率n型聚合物，需要考虑以下因素：　　（1）低的分子前线轨道能级，在实现电子的有效注入和传输的同时，抑制空穴的注入。　　（2）平面刚性的共轭骨架，有助于降低共轭骨架的重组能，提高电荷传输能力。　　（3）引入合适的烷基...